মনোক্রিস্টালাইনের উত্পাদন প্রক্রিয়া সৌর প্যানেল প্রতিটি প্যানেলের সামঞ্জস্যপূর্ণ গুণমান এবং উচ্চ দক্ষতা রয়েছে তা নিশ্চিত করতে জটিল এবং পরিশীলিত প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণের একটি সিরিজ জড়িত। নীচে একটি বিস্তারিত উত্তর এবং ভূমিকা:
মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন প্যানেলগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়ার মূল প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ
উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন উপকরণ প্রস্তুতি
মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সোলার প্যানেল তৈরির প্রথম ধাপ হল উচ্চ-বিশুদ্ধ সিলিকন উপকরণ প্রস্তুত করা। সিলিকনের বিশুদ্ধতা সরাসরি প্যানেলের কার্যকারিতা এবং কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে। সিলিকন উপাদানগুলি সাধারণত ধাতব গ্রেড সিলিকনের পরিশোধন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে প্রস্তুত করা হয়, যার মধ্যে রয়েছে:
ট্রাইক্লোরোসিলেন পদ্ধতি (সিমেন্স পদ্ধতি): ক্লোরিনের সাথে ধাতব গ্রেডের সিলিকন বিক্রিয়া করে ট্রাইক্লোরোসিলেন (এইচসিএল) তৈরি করা হয় এবং তারপরে পাতিত এবং শেষ পর্যন্ত উচ্চ-বিশুদ্ধতা পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন তৈরি করার জন্য কমানো হয়।
জোন গলানোর পদ্ধতি: সিলিকনের বিশুদ্ধতা আরও উন্নত করতে, জোন গলানোর পদ্ধতিটি উচ্চ তাপমাত্রায় আংশিকভাবে সিলিকন গলানোর জন্য ব্যবহার করা হয় এবং জোন গরম করার মাধ্যমে অমেধ্যগুলি ধীরে ধীরে সরানো হয়।
মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ইনগটগুলির বৃদ্ধি
উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন উপাদান প্রস্তুত হওয়ার পরে, এটিকে একরঙা সিলিকন ইনগটে রূপান্তর করতে হবে। প্রধান পদ্ধতি অন্তর্ভুক্ত:
Czochralski (CZ) পদ্ধতি: পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন একটি কোয়ার্টজ ক্রুসিবলের মধ্যে স্থাপন করা হয় এবং একটি গলিত অবস্থায় উত্তপ্ত করা হয়, এবং তারপর একটি একক ক্রিস্টাল বীজ গলিত সিলিকনে নিমজ্জিত করা হয় এবং বীজ স্ফটিকটিকে ধীরে ধীরে ঘোরানো হয় এবং ধীরে ধীরে একটি একক স্ফটিক সিলিকন বৃদ্ধির জন্য টেনে আনা হয়। ইনগট
ফ্লোটিং জোন (FZ) পদ্ধতি: ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইন্ডাকশন হিটিং একটি ক্রুসিবল ছাড়া একক ক্রিস্টাল সিলিকন বৃদ্ধি করতে ব্যবহৃত হয়। উচ্চ-বিশুদ্ধতা একক ক্রিস্টাল সিলিকন একটি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইন্ডাকশন কয়েলের ক্রিয়াকলাপের অধীনে বিভাগে পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন রডগুলিকে গলিয়ে এবং স্ফটিক করার মাধ্যমে প্রাপ্ত হয়।
সিলিকন ইনগট কাটা এবং সিলিকন ওয়েফার উত্পাদন
একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইঙ্গটের বৃদ্ধি সম্পন্ন হওয়ার পর, সৌর কোষ তৈরির জন্য এটিকে পাতলা টুকরো টুকরো করতে হবে। মূল পদক্ষেপগুলির মধ্যে রয়েছে:
সিলিকন ইঙ্গট কাটা: হীরার তারের করাত কাটার প্রযুক্তি ব্যবহার করে, একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইঙ্গটটি পাতলা টুকরো করে কাটা হয়। ডায়মন্ড তারের করাত কাটা উচ্চ-নির্ভুলতা এবং কম-ক্ষতি কাটিয়া প্রভাব প্রদান করতে পারে।
সিলিকন ওয়েফারের পলিশিং এবং পরিষ্কার করা: কাটা সিলিকন ওয়েফারগুলিকে পালিশ এবং পরিষ্কার করতে হবে যাতে পৃষ্ঠের কাটার চিহ্ন এবং অমেধ্যগুলি অপসারণ করা যায় এবং সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের মসৃণতা এবং সমতলতা নিশ্চিত করা যায়।
সিলিকন ওয়েফারের টেক্সচারিং এবং ডোপিং
ফটোইলেকট্রিক রূপান্তরের দক্ষতা উন্নত করার জন্য, সিলিকন ওয়েফারগুলিকে টেক্সচারাইজড এবং ডোপ করা দরকার:
টেক্সচারিং: পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফল এবং আলো শোষণের দক্ষতা বাড়াতে রাসায়নিক এচিং দ্বারা সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে একটি ক্ষুদ্র পিরামিড গঠন তৈরি হয়।
ডোপিং: ফসফরাস (এন-টাইপ) বা বোরন (পি-টাইপ) এবং অন্যান্য উপাদানগুলি সিলিকন ওয়েফারে ডিফিউশন বা আয়ন ইমপ্লান্টেশন দ্বারা একটি পিএন জংশন তৈরি করার জন্য ডোপ করা হয়, যা বিদ্যুৎ উৎপন্ন করার জন্য সৌর কোষগুলির ভিত্তি।
সারফেস প্যাসিভেশন এবং অ্যান্টি-রিফ্লেক্টিভ লেপ
ফটোজেনারেটেড ক্যারিয়ারের পুনর্মিলন কমাতে এবং ফটোইলেকট্রিক রূপান্তরের দক্ষতা উন্নত করতে, সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠটি নিষ্ক্রিয় করা প্রয়োজন এবং একটি অ্যান্টি-রিফ্লেক্টিভ আবরণ যোগ করা প্রয়োজন:
সারফেস প্যাসিভেশন: সিলিকন অক্সাইড বা সিলিকন নাইট্রাইডের একটি স্তর সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বা পারমাণবিক স্তর জমা (ALD) দ্বারা পৃষ্ঠের ত্রুটি এবং পুনর্মিলন কমাতে জমা করা হয়।
অ্যান্টি-রিফ্লেক্টিভ লেপ: অ্যান্টি-রিফ্লেক্টিভ লেপের একটি স্তর, যেমন সিলিকন নাইট্রাইড (SiNx), আলোর প্রতিফলন কমাতে এবং আলো শোষণের দক্ষতা উন্নত করতে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে জমা হয়।
ইলেক্ট্রোড উত্পাদন এবং সেল সমাবেশ
ফটোজেনারেটেড কারেন্ট সংগ্রহ ও প্রেরণ করার জন্য, সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে ইলেক্ট্রোড তৈরি করতে হবে:
সামনের ইলেক্ট্রোড: সিলভার পেস্ট সিলিকন ওয়েফারের সামনে স্ক্রিন প্রিন্টিং প্রযুক্তি দ্বারা মুদ্রিত হয় এবং সিন্টারিং প্রক্রিয়ার মাধ্যমে একটি ভাল ওমিক যোগাযোগ ইলেক্ট্রোড গঠিত হয়।
ব্যাক ইলেক্ট্রোড: অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোড বা সিলভার ইলেক্ট্রোড সিলিকন ওয়েফারের পিছনে ভ্যাকুয়াম বাষ্পীভবন বা স্ক্রিন প্রিন্টিং দ্বারা কারেন্টের কার্যকর সংগ্রহ নিশ্চিত করার জন্য তৈরি করা হয়।
কোষের পরীক্ষা এবং বাছাই করা
উত্পাদিত কোষগুলিকে তাদের কর্মক্ষমতা এবং ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করতে কঠোর পরীক্ষা এবং বাছাই করতে হবে:
ফটোইলেকট্রিক টেস্টিং: টেস্ট প্যারামিটার যেমন ওপেন সার্কিট ভোল্টেজ (Voc), শর্ট সার্কিট কারেন্ট (Isc), ফিল ফ্যাক্টর (FF) এবং প্রতিটি কক্ষের রূপান্তর দক্ষতা।
বাছাই করা: পরীক্ষার ফলাফল অনুসারে, কোষগুলিকে বিভিন্ন দক্ষতার স্তরে বিভক্ত করা হয়েছে যাতে উপাদানগুলির সামগ্রিক কার্যকারিতা উন্নত করতে সমাবেশের সময় তাদের সাথে মিলিত হতে পারে।
উপাদান সমাবেশ এবং প্যাকেজিং
পরীক্ষা এবং বাছাই করার পরে, কোষগুলিকে সোলার সেল মডিউলগুলিতে একত্রিত করতে হবে:
সিরিজ এবং সমান্তরাল সংযোগ: কোষগুলি একটি ব্যাটারি স্ট্রিং গঠনের জন্য ডিজাইনের প্রয়োজনীয়তা অনুসারে সিরিজ এবং সমান্তরালভাবে সংযুক্ত থাকে।
প্যাকেজিং: উচ্চ আলো ট্রান্সমিট্যান্স সহ গ্লাস এবং ব্যাক শীটের মধ্যে সেল স্ট্রিং স্যান্ডউইচ করতে ইভা (ইথিলিন-ভিনাইল অ্যাসিটেট) ফিল্ম ব্যবহার করুন এবং একটি জলরোধী এবং ধুলোরোধী সেল সমাবেশ তৈরি করতে গরম প্রেসিং প্যাকেজিং সম্পাদন করতে একটি ল্যামিনেটর ব্যবহার করুন।
মান নিয়ন্ত্রণ এবং কারখানা পরিদর্শন
অবশেষে, উত্পাদিত সৌর সেল মডিউলগুলিকে কঠোর মান নিয়ন্ত্রণ এবং কারখানা পরিদর্শন করতে হবে:
যান্ত্রিক শক্তি পরীক্ষা: বিভিন্ন পরিবেশগত পরিস্থিতিতে এর স্থায়িত্ব নিশ্চিত করতে মডিউলটির বায়ু প্রতিরোধ, চাপ প্রতিরোধ এবং প্রভাব প্রতিরোধের পরীক্ষা করুন।
বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা পরীক্ষা: সূর্যালোক অনুকরণ করে মডিউলটির পাওয়ার আউটপুট এবং দক্ষতা পরীক্ষা করুন যাতে এটি ডিজাইনের বৈশিষ্ট্য এবং মান পূরণ করে।
সংক্ষেপে, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সোলার প্যানেলগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে রয়েছে উচ্চ-বিশুদ্ধ সিলিকন উপকরণ তৈরি থেকে শুরু করে মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গটগুলির বৃদ্ধি, সিলিকন ওয়েফারের কাটা, টেক্সচারিং এবং ডোপিং পর্যন্ত বিভিন্ন মূল প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণগুলি। ইলেক্ট্রোড উত্পাদন, সেল সমাবেশ এবং চূড়ান্ত মান নিয়ন্ত্রণ। চূড়ান্ত পণ্যের উচ্চ দক্ষতা এবং ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করার জন্য প্রতিটি ধাপে কঠোর নিয়ন্ত্রণ এবং নির্ভুলতা অপারেশন প্রয়োজন। এই প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে, মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সোলার প্যানেল বাজারে প্রতিযোগিতামূলক থাকতে পারে এবং ব্যবহারকারীদের দক্ষ ও নির্ভরযোগ্য সৌর শক্তি সমাধান প্রদান করতে পারে৷3
