এর উৎপাদন প্রক্রিয়া পলিক্রিস্টালাইন সোলার প্যানেল চূড়ান্ত পণ্যের দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করতে একাধিক ধাপ এবং প্রযুক্তি জড়িত একটি জটিল এবং উচ্চ-নির্ভুল প্রকল্প। পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন সোলার প্যানেলগুলি তুলনামূলকভাবে কম খরচে এবং ভাল কার্যকারিতার কারণে আবাসিক, বাণিজ্যিক এবং শিল্প সোলার সিস্টেমে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
1. কাঁচামাল প্রস্তুতি
সিলিকন কাঁচামাল: পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন সোলার প্যানেল তৈরির জন্য প্রথমে উচ্চ-বিশুদ্ধ সিলিকন কাঁচামাল প্রয়োজন। সিলিকন পৃথিবীর সবচেয়ে প্রাচুর্য উপাদানগুলির মধ্যে একটি, তবে সৌর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, ব্যবহৃত সিলিকন অবশ্যই উচ্চ বিশুদ্ধতার স্তরে পৌঁছাতে হবে। সাধারণত, সিলিকন কাঁচামাল আকরিক থেকে আসে এবং গলিত এবং পরিশোধন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে প্রাপ্ত হয়।
সিলিকন ইঙ্গট উত্পাদন: উচ্চ তাপমাত্রায় সিলিকন কাঁচামাল গলানোর পরে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গটগুলি গঠনের জন্য পরিবাহিতা বৈশিষ্ট্যগুলিকে সামঞ্জস্য করার জন্য উপযুক্ত ডোপ্যান্ট (যেমন ফসফরাস বা বোরন) যোগ করা হয়। এই ইনগটগুলি সাধারণত পরবর্তী কাটা এবং প্রক্রিয়াকরণের জন্য বর্গাকার বা নলাকার হয়। গলিত সিলিকন ধীরে ধীরে ক্রিস্টালাইজেশন প্রক্রিয়ার সময় শীতল হয়ে পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গট পেতে একাধিক ছোট স্ফটিক তৈরি করে।
2. সিলিকন ingots কাটা
সিলিকন ইনগট স্লাইসিং: সৌর প্যানেল তৈরির অন্যতম প্রধান পদক্ষেপ হল পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন ইনগটগুলিকে পাতলা টুকরো করে কাটা। একটি উচ্চ-নির্ভুল কাটিং মেশিন ব্যবহার করে, সিলিকন পিন্ডটি প্রায় 200-300 মাইক্রন পুরুত্বের সাথে সিলিকন স্লাইসগুলিতে কাটা হয়। এই সিলিকন স্লাইসগুলিকে "সিলিকন ওয়েফার" বা "কোষ" বলা হয় এবং এটি সৌর প্যানেলের মৌলিক একক।
সিলিকন ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ: কাটার পরে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে কিছু স্ক্র্যাচ এবং অবশিষ্টাংশ থাকবে, যা পৃষ্ঠের ত্রুটিগুলি দূর করতে এবং পৃষ্ঠের মসৃণতা উন্নত করতে রাসায়নিকভাবে চিকিত্সা এবং পালিশ করা প্রয়োজন। চিকিত্সা প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত রাসায়নিকগুলি সিলিকন ওয়েফার পরিষ্কার করতে এবং অক্সাইড অপসারণ করতে সহায়তা করে।
3. কোষ উত্পাদন
ডোপিং: সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে, ডোপ্যান্টগুলি পি-টাইপ এবং এন-টাইপ অঞ্চল গঠনের জন্য একটি প্রসারণ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে প্রবর্তিত হয়। ডোপিং প্রক্রিয়া হল উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে সিলিকন ওয়েফার স্থাপন করা এবং এন-টাইপ (নেতিবাচক) এবং পি-টাইপ (পজিটিভ) সেমিকন্ডাক্টর অঞ্চল গঠনের জন্য বায়ুমণ্ডলে ফসফরাস বা বোরনের মতো ডোপ্যান্ট প্রবর্তন করা। এই প্রক্রিয়াটি কোষের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
ধাতবকরণ: পরিবাহী ধাতব পদার্থ (সাধারণত রূপা এবং অ্যালুমিনিয়াম) দিয়ে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠকে আবরণ করে কোষের ধাতবকরণ করা হয়। ধাতবকরণের প্রক্রিয়ায় সিলিকন ওয়েফারে একটি বিশদ ইলেক্ট্রোড প্যাটার্ন প্রিন্ট করা জড়িত যাতে সিলিকন ওয়েফার থেকে কারেন্ট বের করা যায়। ধাতবকরণের পরে, ধাতব স্তরটির ভাল আনুগত্য এবং পরিবাহিতা নিশ্চিত করার জন্য সিলিকন ওয়েফারটি শুকিয়ে এবং সিন্টার করা হয়।
এনক্যাপসুলেশন: প্রক্রিয়াকৃত কোষগুলি এনক্যাপসুলেশন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে ব্যাটারির উপাদানগুলিতে একত্রিত হয়। এনক্যাপসুলেশন উপকরণগুলির মধ্যে রয়েছে ব্যাকপ্লেন, সামনের কাচ এবং মধ্যম ইভা (ইথিলিন-ভিনাইল অ্যাসিটেট কপোলিমার) স্তর। এই উপকরণগুলির ভূমিকা হল বাইরের পরিবেশ থেকে কোষগুলিকে রক্ষা করা এবং ব্যাটারি প্যানেলের কাঠামোগত স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করা।
4. মডিউল সমাবেশ
সেল সংযোগ: প্রক্রিয়াকৃত কোষগুলিকে একটি নির্দিষ্ট বিন্যাস ক্রম এবং বৈদ্যুতিক সংযোগ পদ্ধতিতে সাজান এবং তাদের সিরিজ বা তারের সাথে সমান্তরালভাবে সংযুক্ত করুন। ঢালাই বা অন্যান্য সংযোগ পদ্ধতির মাধ্যমে, একাধিক কোষ একটি ব্যাটারি মডিউলে একত্রিত হয়ে একটি বড় ফটোভোলটাইক প্যানেল তৈরি করে।
এনক্যাপসুলেশন: আর্দ্রতা, ধুলো এবং যান্ত্রিক ক্ষতি রোধ করার জন্য একত্রিত ব্যাটারি মডিউলটিকে এনক্যাপসুলেশন করতে হবে। এনক্যাপসুলেশন প্রক্রিয়ার মধ্যে ব্যাটারি মডিউলটিকে ব্যাকপ্লেনে স্থাপন করা, সামনের গ্লাসটি ঢেকে রাখা এবং এটিকে একটি ইভা স্তর দিয়ে স্তরিত করা জড়িত। একটি হট প্রেসিং প্রক্রিয়ার মাধ্যমে, একটি কঠিন ব্যাটারি প্যানেল গঠন গঠনের জন্য উপকরণের স্তরগুলি একসাথে স্থির করা হয়।
পরীক্ষা এবং গুণমান পরিদর্শন: এনক্যাপসুলেটেড ব্যাটারি প্যানেলগুলিকে কঠোর পরীক্ষা এবং গুণমান পরিদর্শন করতে হবে। পরীক্ষাগুলির মধ্যে রয়েছে বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা পরীক্ষা, আলোক বৈদ্যুতিক রূপান্তর দক্ষতা পরীক্ষা এবং পরিবেশগত সহনশীলতা পরীক্ষা, নিশ্চিত করে যে প্রতিটি সৌর প্যানেল প্রকৃত ব্যবহারে স্থিরভাবে বিদ্যুৎ উৎপন্ন করতে পারে এবং প্রাসঙ্গিক মান এবং বৈশিষ্ট্যগুলি পূরণ করতে পারে৷3
