একটি মনোক্রিস্টালাইন সোলার সেলের সাবস্ট্রেট সাধারণত উচ্চ-বিশুদ্ধতা, সিলিকনের একক স্ফটিক দিয়ে তৈরি একটি পাতলা ওয়েফার। এই সিলিকন ওয়েফারটি ভিত্তি উপাদান হিসাবে কাজ করে যার উপর সৌর কোষের বিভিন্ন স্তর এবং উপাদানগুলি নির্মিত হয়। সূর্যালোককে বৈদ্যুতিক শক্তিতে রূপান্তর করার জন্য উচ্চ স্তরের দক্ষতা অর্জনের জন্য মনোক্রিস্টালাইন সাবস্ট্রেটের পছন্দ অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
মনোক্রিস্টালাইন সৌর কোষের স্তর সম্পর্কে এখানে কিছু মূল বিষয় রয়েছে:
উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন: সাবস্ট্রেটটি সিলিকন দ্বারা গঠিত যা উচ্চ স্তরের বিশুদ্ধতা নিশ্চিত করে অমেধ্য অপসারণের জন্য একটি পরিশোধন প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে গেছে। উপাদানের অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্যের জন্য এটি অপরিহার্য।
একক ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার: সিলিকন ব্যবহৃত হয় মনোক্রিস্টালাইন সৌর কোষ এটি একটি একক স্ফটিক, যার অর্থ হল এর পারমাণবিক গঠন সম্পূর্ণ ক্রিস্টাল জালি জুড়ে অত্যন্ত সুসংহত এবং অভিন্ন। এটি পলিক্রিস্টালাইন সৌর কোষের বিপরীতে, যা একাধিক স্ফটিক থেকে তৈরি।
Czochralski পদ্ধতি: সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহৃত সিলিকন স্ফটিক প্রায়ই Czochralski পদ্ধতি ব্যবহার করে জন্মানো হয়, একটি প্রক্রিয়া যার মধ্যে একটি গলিত সিলিকন গলিত থেকে ধীরে ধীরে একটি একক স্ফটিক টানতে হয়। এই পদ্ধতির ফলে একটি বড়, নলাকার পিণ্ড তৈরি হয় যেখান থেকে সৌর কোষ উৎপাদনের জন্য পাতলা ওয়েফারগুলি কাটা হয়।
অভিন্নতা: একক স্ফটিক কাঠামো উপাদানটির অভিন্নতাতে অবদান রাখে, যা সমগ্র স্তর জুড়ে সামঞ্জস্যপূর্ণ বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের জন্য অনুমতি দেয়। এই অভিন্নতা সৌর কোষে উচ্চ দক্ষতা এবং কর্মক্ষমতা অর্জনের জন্য উপকারী।
বেধ: সাবস্ট্রেট সাধারণত একটি পাতলা ওয়েফার, এবং বেধ নির্দিষ্ট নকশা এবং উত্পাদন প্রক্রিয়ার উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হতে পারে। পাতলা ওয়েফারগুলি প্রায়শই উপাদান খরচ কমাতে এবং নমনীয়তা উন্নত করতে পছন্দ করে।
সাবস্ট্রেটটি এন-টাইপ এবং পি-টাইপ স্তর তৈরি, পিএন জংশনের গঠন এবং সৌর কোষের সামগ্রিক কার্যকারিতার ভিত্তি প্রদান করে। সাবস্ট্রেটের একক স্ফটিক কাঠামো মনোক্রিস্টালাইন সৌর কোষগুলির চমৎকার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলির একটি মূল কারণ, যা তাদের উপলব্ধ সবচেয়ে দক্ষ ধরণের সৌর কোষগুলির মধ্যে একটি করে তোলে৷
